MOSFET的驱动其实也不是一件易事

一直都说MOSFET，IGBT是场效应期间，好驱动之类的，但这都只能仅仅局限于稳态情况。

在高速开关状态下，100A额定电流的MOS管，比如IRF540N，完全开通需要的门极电荷量大约为71nC。别小看这几十纳库仑的电量，如果要求在0.3us内完全导通，则需要驱动级提供大约200~300mA的电流。这也不是一件容易的事情。

像SUNIST实验室应用的高电压大电流IGBT，1000A/1200V的，就需要驱动级提供4~5A的驱动电流，若是3000A的IGBT，则需要10A以上。并且要在1us内从-15V摆到+15V。要求驱动电路高压摆率，高电流输出，很不简单啊。